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场发射透射电子显微镜(Talos F200X G2)-东氿校区

发布日期:2024-03-04来源:分析测试中心文:贺瓶 审核:张爽

场发射透射电子显微镜(Talos F200X G2)

性能指标

加速电压:200 kV;电子枪:肖特基型热场发射电子枪;TEM点分辨率:0.23 nm;TEM信息分辨率:0.12 nm;STEM分辨率:0.16 nm;极靴间距:5.4 mm;STEM模式放大倍数:310x~150Mx;能谱分辨率:优于136 eV;EDS固定角:0.9 srad;三维重构样品杆最大倾角:70°。

主要应用

可提供各种材料的形貌、基本结构与成份信息:快速采集形貌图像(高分辨);选区电子衍射与晶体结构分析;TEM及STEM模式可实现快速切换;配合能谱仪可以对样品元素做点、线、面分布分析,以及各种元素进行定性和半定量微区分析,元素检测范围:B~U元素;利用三维样品杆可以实现TEM、STEM和EDS三维重构。

样品要求

透射电镜不做磁性样品,不含Fe、Co、Ni、Mn及Gd、Tb、Dy、Ho、Er等稀土元素;对于粉末样品,要求样品均匀分散在支持膜上并且干燥,能够区分支持膜正反面;对于块体样品,要求样品大小为直径3 mm的圆,厚度为200 nm以下;高分辨样品厚度在10 nm以下。

仪器说明

该仪器广泛应用于化学、材料、食品、生物、物理、医学等学科的分析研究。

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