个人简介
1、个人简历
赵琳娜,博士,1979年12月生,天津人,电子工程系副教授。主要研究方向为碳化硅功率器件的设计与可靠性分析。
2、研究生教育
硕士研究生
专业型研究生招生专业:集成电路
研究方向:大功率碳化硅MOS器件的设计与可靠性分析
3、联系方式
通信地址:江苏省无锡市江阴市府前路299号江南大学霞客湾校区集成电路学院
邮编:214401
Email: zhaolinna@163.com
学习、工作经历
学习经历:
2004.09-2007.04 江南大学信息工程学院 硕士
2013.09-2018.12 江南大学物联网工程学院 博士
工作经历:
2007.10-2010.06 江南大学信息工程学院
2010.06-至今 江南大学物联网工程学院
2022.09-2023.08 加拿大多伦多大学访问学者
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主持江苏省产学研合作项目1项,主持签订多项企业横向委托课题。
[1] Zhao L, Yan D, Zhang Z, et al. Temperature-Dependent Efficiency Droop in GaN-Based Blue LEDs[J]. IEEE Electron Device Letters, 2018, 39(4): 528-531.
[2] Zhao L, Chen L, Yu G, et al. Tunneling-hopping Transport Model for Reverse Leakage Current in InGaN/GaN Blue Light-emitting Diodes[J]. IEEE Photonics Technology Letters, 2017, 29(17):1447-1450.
[3] Zhao L, Yu P, Guo Z, et al. Progressive current degradation and breakdown behavior in GaN LEDs under high reverse bias stress[J]. Chinese Physics B, 2017, 26(8): 429-432.
[4] Zhu C, Zhao L, Yang Z, et al. Investigation on Degradation and Breakdown Behaviors of SGTs under Repetitive UIS Avalanche Stress[J]. Chinese Physics B, 2022.