讲座题目: III-V族宽禁带半导体光电器件及其应用

主讲人：杨国锋副教授江南大学理学院光电信息科学与工程系

讲座时间：2021年07月14日上午9：45-10：30

讲座地点：线上

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欢迎有兴趣的师生在线聆听！

讲座内容简介：宽禁带半导体材料（Eg大于或等于3.2 ev）被称为第三代半导体材料。主要包括金刚石、SiC、GaN等。和第一代、第二代半导体材料相比，第三代半导体材料具有禁带宽度大，电子漂移饱和速度高、介电常数小、导电性能好的特点，其本身具有的优越性质及其在光电子器件和微波功率器件领域应用中潜在的巨大前景，非常适用于制作蓝紫光LED、光电探测器，以及抗辐射、高频、大功率和高密度集成的电子器件。本报告将简要介绍目前国际大背景下我国半导体芯片以及宽禁带半导体芯片的发展态势及其应用领域；同时，重点介绍III-V族宽禁带半导体（GaN基）材料的基本性质、以及微结构、光学效应在提高GaN基半导体光电器件（LED和紫外探测器）性能方面的应用和研究。

报告人简介：杨国锋，博士，副教授，硕导。江南大学理学院光电信息科学与工程系教师，毕业于南京大学微电子与固体电子学专业。新加坡国立大学电子与计算机工程系访问学者，美国电气和电子工程师协会（IEEE）会员、美国光学学会、中国光学学会和江苏省光学学会会员。长期从事III-V族宽禁带半导体和二维半导体电子和光电器件及系统的研究工作，已在国际SCI学术刊物上发表学术论文80余篇。申请发明专利14项，授权6项。主持国家自然科学基金3项，江苏省自然科学基金和江苏省重点研发计划，主持中国博士后和江苏省博士后基金3项，无锡市科技发展基金2项，主持中央高校基本科研业务费重点专项项目2项，企业横向项目8项。参与完成国家973、863、自然科学基金和江苏省自然科学基金等多项重点项目课题。入选江苏省“青蓝工程”优秀青年骨干教师、江苏省科协青年科技人才托举工程、获中国轻工业联合会和中国商业联合会科技进步奖共4项，无锡市自然科学优秀学术论文特等奖和二等奖，获2016年“中国光学重要进展”和“江苏青年光学科技奖”。